外延工艺-sic外延工艺
2024-07-06
外延工艺是一种重要的半导体材料制备方法,可以在晶体表面上沉积出具有相同晶格结构和晶体质量的薄膜。其中,SiC外延工艺是一种制备SiC材料的关键技术,具有广泛的应用前景。本文将从六个方面对SiC外延工艺进行详细阐述,包括材料选择、外延生长方法、晶体质量控制、表面处理、器件制备以及未来发展方向。 材料选择 SiC材料是一种具有优异性能的半导体材料,其硬度高、热导率大、耐高温、抗辐照等特点使其在电力电子、LED、微波通信等领域得到广泛应用。在SiC外延工艺中,选择高质量的衬底材料对于提高晶体质量至关